肖克莱

美国物理学家。原籍英国。马萨诸塞理工学院哲学博士。曾在贝尔电话实验室做研究工作。担任过斯坦福大学教授，美国物理研究所研究员。美国全国科学院院士。在固体能带、铁磁畴、金属塑性、位错与晶粒边界理论、有序-无序合金、半导体理论的应用以及电磁理论等方面均有广泛研究，并取得成就，在美国持有90种以上发明譯Ｊ紫忍岢龉烫宸糯笃鞯某⌒вκ笛樯杓品桨覆⒂檬笛橹な盗顺⌒вο窒蟮拇嬖冢挥肴撕献鞣⑾至舜懦《钥昭ê偷缱优ǘ鹊挠跋欤坏汲隽藀n结中总电流密度公式；预言了半导体中的饱和效应，提出确定有效质量的方法；发明了pn结晶体管等。由于半导体方面的研究和发现晶体管效应，与巴丁（John Bardeen，1908—1991）和布拉顿共获1956年诺贝尔物理学奖。著有《半导体中的电子与空穴》、《近完美晶体中的缺陷》等。